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泰瑞達(dá)如何幫助中國(guó)汽車市場(chǎng)跨越測(cè)試難題
汽車是近兩年被高頻提及的產(chǎn)業(yè)，2022年至2029年，預(yù)計(jì)電動(dòng)汽車（EV）占比將增長(zhǎng)近一倍，同時(shí)L2級(jí)別及以上的自動(dòng)駕駛汽車占比也在逐漸增加。中國(guó)則處于“彎道超車”的市場(chǎng)地位，到去年為止，電動(dòng)汽車占比已經(jīng)超過了一半。
2023-11-30
泰瑞達(dá) 汽車市場(chǎng)
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可穿戴溫度傳感器應(yīng)用的剛?cè)峤Y(jié)合電路設(shè)計(jì)考慮因素
本文是開發(fā)測(cè)量核心體溫（ CBT ）傳感器產(chǎn)品的剛?cè)峤Y(jié)合電路板的通用設(shè)計(jì)指南，可應(yīng)用于多種高精度(±0.1°C)溫度檢測(cè)應(yīng)用。
2023-11-30
可穿戴 溫度傳感 傳感器 電路設(shè)計(jì)
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漫談QLC其二：扛起NAND家族重任，老四QLC
今天，TLC依然為SSD/嵌入式存儲(chǔ)中的主力NAND顆粒，但QLC開始登上舞臺(tái)，發(fā)起挑戰(zhàn)，和2016年那時(shí)的自己相比，QLC實(shí)力大增。NAND家族，從老大SLC開始，到老二MLC和老三TLC，再到今天的老四QLC NAND，發(fā)揮自身優(yōu)勢(shì)，克服自身不足，一代代傳承下來，扛起家族事業(yè)的重任。
2023-11-30
QLC NAND
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IO-Link成為現(xiàn)代智能工廠的核心技術(shù)
IO-Link?已經(jīng)成為推動(dòng)制造業(yè)改革的核心，是現(xiàn)代智能工廠不可缺少的部分，能將傳統(tǒng)傳感器轉(zhuǎn)變?yōu)橹悄軅鞲衅?，為邊緣設(shè)備帶來更多智能。IO-Link將可讓制造商能在不拆除和更換設(shè)備的情況，直接讓工廠實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代化轉(zhuǎn)型。本文將為您介紹IO-Link在智能工廠中扮演的角色，以及由ADI推出的IO-Link相關(guān)解決方案。
2023-11-30
IO-Link 智能工廠
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碳化硅MOS/超結(jié)MOS在直流充電樁上的應(yīng)用
直流充電樁是新能源汽車直流充電樁的簡(jiǎn)稱，一般也被叫做“快充”。直流充電樁一般與交流電網(wǎng)連接，可作為非車載電動(dòng)汽車的動(dòng)力補(bǔ)充，是一種直流工作電源的電源控制裝置，可以提供充足的電量，輸出電壓和電流可以連續(xù)調(diào)節(jié)，可有效實(shí)現(xiàn)快速充電的要求。
2023-11-29
碳化硅MOS 超結(jié)MOS 直流充電樁
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釋放開源評(píng)估平臺(tái)的潛力，制作超聲發(fā)射子系統(tǒng)的原型
在任何新技術(shù)開發(fā)過程中，在將新型號(hào)或下一代超聲設(shè)備商業(yè)化之前，制造商都會(huì)經(jīng)歷硬件開發(fā)和測(cè)試以及系統(tǒng)集成和驗(yàn)證等階段。開發(fā)高通道數(shù)成像超聲子系統(tǒng)預(yù)計(jì)需要多年的努力。此外，在對(duì)系統(tǒng)考慮因素知之甚少的情況下貿(mào)然開始波束引導(dǎo)或發(fā)射子系統(tǒng)的硬件原型制作，可能會(huì)導(dǎo)致硬件原型需要多次修改，...
2023-11-29
開源評(píng)估平臺(tái) 超聲發(fā)射 開源軟件 Mbed
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炬芯科技周正宇博士：存內(nèi)計(jì)算是突破AI芯片算力和功耗矛盾的關(guān)鍵
聲音是人與人交戶的重要手段，在AI興起的現(xiàn)今，也是人與機(jī)器相互溝通的手段之一。從模擬階段的留聲機(jī)開始到現(xiàn)在，人類對(duì)于高清化、高保真的追求一刻沒有停歇過，也逐漸擺脫了線束的約束。對(duì)音頻來說，芯片至關(guān)重要，它既要擁有足夠的算力，也要擁有足夠低的功耗。
2023-11-29
炬芯科技 存內(nèi)計(jì)算 AI芯片 算力 功耗
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以工藝窗口建模探索路徑：使用虛擬制造評(píng)估先進(jìn)DRAM電容器圖形化的工藝窗口
持續(xù)的器件微縮導(dǎo)致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導(dǎo)體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)不足，評(píng)估不同集成方案的工藝窗口會(huì)變得困難。為克服這一不足，我們將舉例說明如何借助虛擬制造評(píng)估 DRAM 電容器圖形化工藝的工...
2023-11-29
工藝窗口 建模 虛擬制造 DRAM電容器
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通過碳化硅 TOLL 封裝開拓人工智能計(jì)算的前沿
近些年來，人工智能（AI）的蓬勃發(fā)展推動(dòng)了芯片組技術(shù)的新進(jìn)步。與傳統(tǒng) CPU 相比，現(xiàn)在的芯片組功能更強(qiáng)大，運(yùn)行更高效，但功率消耗也更高。功率消耗的急劇攀升為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來了難題，他們正在努力設(shè)計(jì)既能在更小的空間內(nèi)提供更大功率，又能保證效率和可靠性的電源。
2023-11-28
碳化硅 TOLL 封裝 人工智能計(jì)算
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