【導(dǎo)讀】MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨(dú)使用外，還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。
前言
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨(dú)使用外，還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。
其中，在將開關(guān)元件上下串聯(lián)連接的橋式結(jié)構(gòu)中，通常交替地導(dǎo)通與關(guān)斷各個(gè)元器件。下面是常規(guī)的橋式結(jié)構(gòu)同步方式boost電路，波形圖是根據(jù)柵極信號(hào)交替地導(dǎo)通/關(guān)斷的低邊（LS）MOSFET和高邊（HS）MOSFET的漏極－源極間電壓（VDS）和漏極電流（ID）示例。
通過(guò)開關(guān)工作，流過(guò)各元件的電流和變化的電壓以復(fù)雜的方式相互影響。尤其是在處理高電壓高電流的電路中，受安裝電路板和結(jié)線引起的寄生分量等影響，產(chǎn)生電壓和電流的動(dòng)作，并因此導(dǎo)致工作不穩(wěn)定、效率下降，從而可能導(dǎo)致?lián)p耗增加、產(chǎn)生異常發(fā)熱等問(wèn)題。
近年來(lái)，SiC MOSFET等高性能功率元器件的應(yīng)用，使得通過(guò)高速開關(guān)轉(zhuǎn)換大功率成為可能，但在操作過(guò)程中，需要對(duì)開關(guān)工作有深入的了解。在該系列文章中，我們將著眼于MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中的各MOSFET的柵極－源極間電壓的動(dòng)作，以簡(jiǎn)單的同步方式boost電路為例，對(duì)以下內(nèi)容進(jìn)行探討：
?MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)與同步方式boost電路
?柵極驅(qū)動(dòng)電路與導(dǎo)通/關(guān)斷工作
?因dVDS/dt、dID/dt而產(chǎn)生的電流和電壓
?導(dǎo)通時(shí)柵極信號(hào)的動(dòng)作
?關(guān)斷時(shí)柵極信號(hào)的動(dòng)作
（來(lái)源：Rohm）
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)電話或者郵箱editor@52solution.com聯(lián)系小編進(jìn)行侵刪。
推薦閱讀：
更高、更快伴生更強(qiáng)要求，迎接DDR5內(nèi)存驗(yàn)證和調(diào)試挑戰(zhàn)
第十屆中國(guó)（西部）電子信息博覽會(huì)西部電子信息十周年獻(xiàn)禮
