【導(dǎo)讀】場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
一、場(chǎng)效應(yīng)管的作用
1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2.場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。
3.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。
4.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。
5.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。
二、MOS管如何控制電流方向
MOS管如何控制電流方向的呢，在MOS管實(shí)際使用的過(guò)程中,MOS管既可用于放大電流，又可以作為電子開(kāi)關(guān)。
由于應(yīng)用廣泛，已然成為電子設(shè)備必不可少的電子元件。而在使用過(guò)程中，MOS管是通過(guò)加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。
MOS管是電壓控制器件，也就是需要使用電壓控制G腳來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)管子電流的控制。市面上最常見(jiàn)的是增強(qiáng)型N溝通MOS管，廠家可以用一個(gè)電壓來(lái)控制G的電壓，MOS管導(dǎo)通電壓一般在2-4V，不過(guò)要完全控制，這個(gè)值要上升到10V左右。
三、MOS管如何控制電流方向的基本方法
用一個(gè)控制電壓（比較器同相輸入端）和一個(gè)參考電壓（比較器反相輸入端），同時(shí)進(jìn)入電壓比較器（比較器電源接正12V和地，比如LM358當(dāng)比較器），比較器的輸出經(jīng)過(guò)5.1K電阻上拉后接G腳，如果控制電壓比參考電壓高，則控制MOS管導(dǎo)通輸出電流。
參考電壓可以來(lái)自于采樣電阻，也就是在NMOS的S極接一個(gè)大功率小電阻后接地，這個(gè)電阻做電流采樣，當(dāng)電流流過(guò)電阻后會(huì)形成電壓，把它放大處理后做參考。
剛開(kāi)始的時(shí)候，電流很小，所以控制電壓比參考電壓高很多。這時(shí)候G腳基本上都加了12V，可以使管子迅速導(dǎo)通，在很短時(shí)間后，當(dāng)電流增大逐步達(dá)到某個(gè)值時(shí)，參考電壓迅速上升，與控制電壓接近并超過(guò)時(shí)，比較器就輸出低電平（接近0V）使管子截止，電流減小。然后電流減少后，參考電壓又下去，管子又導(dǎo)通，電流又增大，周而復(fù)始。
如果你用D/A輸出代替控制電壓，則可以獲得對(duì)MOS管的精確控制，以前實(shí)現(xiàn)過(guò)輸出范圍10-2000mA，步進(jìn)1mA，輸出電流精度正負(fù)1mA的水平。
四、MOS管方向的判斷方法
在解釋MOS管如何控制電流方向之后，下面來(lái)看MOS管方向的判斷方法詳解。MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。MOSFET管是FET的一種，可以被制造為增強(qiáng)型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類(lèi)型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管。實(shí)際應(yīng)用中，NMOS居多。
下圖左邊是N溝道的MOS管，右邊是P溝道的MOS管寄生二極管的方向如何判斷呢？它的判斷規(guī)則就是對(duì)于N溝道，由S極指向D極；對(duì)于P溝道，由D極指向S極。
如何分辨三個(gè)極？D極單獨(dú)位于一邊，而G極是第4PIN。剩下的3個(gè)腳則是S極。它們的位置是相對(duì)固定的，記住這一點(diǎn)很有用。請(qǐng)注意：不論NMOS管還是PMOS管，上述PIN腳的確定方法都是一樣的。
MOS管導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意思是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。
NMOS的特性：Vgs大于某一值管子就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到4V就可以了。
PMOS的特性：Vgs小于某一值管子就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅(qū)動(dòng)）。
下圖是MOS管開(kāi)關(guān)電路，輸入電壓是Ui，輸出電壓是Uo。當(dāng)Ui較小時(shí)，MOS管是截止的，Uo＝Uoh＝Vdd；當(dāng)Ui較大時(shí)，MOS管是導(dǎo)通的，Uo=Ron/(Ron+Rd)*Vdd，由于Ron<
應(yīng)用實(shí)例：以下是某筆記本主板的電路原理圖分析，在此MOS管是開(kāi)關(guān)作用:PQ27控制腳為低電平，PQ27截止，而右側(cè)的MOS管導(dǎo)通，所以輸出拉低；
電路原理分析：PQ27控制腳為高電平，PQ27導(dǎo)通，所以其漏極為低電平，右側(cè)的MOS管處于截止?fàn)顟B(tài)，所以輸出為高電平。
兩個(gè)管子的搭配作用就是高低電平的切換，這個(gè)電路來(lái)自于筆記本主板的電路，但是這個(gè)電路模塊也更常見(jiàn)于復(fù)雜電路的上電時(shí)序控制模塊，GPIO的操作模塊等等應(yīng)用中。
2.MOS管的隔離作用MOS管實(shí)現(xiàn)電壓隔離的作用是另外一個(gè)非常重要且常見(jiàn)的功能，隔離的重要性在于：擔(dān)心前一極的電流漏到后面的電路中，對(duì)電路系統(tǒng)的上電時(shí)序，處理器或邏輯器件的工作造成誤判，最終導(dǎo)致系統(tǒng)無(wú)法正常工作。因此，實(shí)際的電路系統(tǒng)中，隔離的作用非常重要。
像上下兩個(gè)圖就是通過(guò)源極的高低電平來(lái)控制MOS管的通斷，來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)電平的隔離，因?yàn)镸OS管有體二極管，并且是反向的，所以并不會(huì)有信號(hào)通過(guò)MOS管漏過(guò)去。
