基于QDR-IV SRAM實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)流量管理統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器IP設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2017-09-08 責(zé)任編輯:susan
【導(dǎo)讀】網(wǎng)絡(luò)路由器帶有用于性能監(jiān)控、流量管理、網(wǎng)絡(luò)追蹤和網(wǎng)絡(luò)安全的統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器。計(jì)數(shù)器用來記錄數(shù)據(jù)包到達(dá)和離開的次數(shù)以及特定事件的次數(shù),比如當(dāng)網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)壞包時(shí)。數(shù)據(jù)包的到達(dá)會使多個(gè)不同的統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器發(fā)生更新,但一臺網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器的數(shù)量及其更新速度常常受到存儲技術(shù)的限制。
管理統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器需要高性能的存儲器才能滿足多重的讀—修改—寫操作。本文將描述一種使用IP方法的獨(dú)特統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器,這種計(jì)數(shù)器的一端可以連接網(wǎng)絡(luò)處理器(NPU),另一端可以連接Xilinx公司的QDR-IV存儲控制器。QDR-IV統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器IP是一種帶有QDR-IV SRAM、為網(wǎng)絡(luò)交流管理和其他計(jì)數(shù)器應(yīng)用提供高效統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器的軟IP。
QDR-IV SRAM概述
QDR-IV SRAM配備兩個(gè)雙向數(shù)據(jù)端口A和B,可以在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)完成兩次數(shù)據(jù)寫入或兩次數(shù)據(jù)讀取操作,或一次讀寫結(jié)合的操作。因此,這一特點(diǎn)帶來了額外的靈活性,架構(gòu)師可將之用于讀/寫并不一定平衡的應(yīng)用中。每個(gè)端口在兩個(gè)時(shí)鐘沿均可進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸(DDR(雙倍數(shù)據(jù)速率)操作),工作模式為突發(fā)式,每個(gè)時(shí)鐘周期的突發(fā)長度為兩個(gè)字(每個(gè)字為X18或X36)。地址總線為通用型,其上升沿和下降沿能分別為端口A和端口B提供地址。部分制造商的QDR-IV SRAM還可支持嵌入式ECC(錯(cuò)誤檢查和糾正),可從根本上消除軟錯(cuò)誤,提高存儲器陳列的可靠性。
QDR-IV SRAM分為兩種:高性能 (HP) QDR-IV和超高性能 (XP) QDR-IV。HP設(shè)備的最大運(yùn)行頻率為667 MHz,而XP設(shè)備的最大運(yùn)行頻率為1066 MHz。QDR-IV XP能夠通過將存儲空間分成分成8個(gè)內(nèi)存條來增加性能,用地址的3個(gè)最低有效位(LSB)表示。要求的存儲方案是在同一周期內(nèi)存取不同的內(nèi)存條。從一個(gè)周期到另一周期,所有的內(nèi)存條均可存取,系統(tǒng)設(shè)計(jì)師可通過規(guī)劃系統(tǒng)架構(gòu)來相應(yīng)地分配記憶庫地址,以充分發(fā)揮極速存儲器的RTR性能。這樣,開發(fā)人員可以在降低總系統(tǒng)成本的同時(shí)大幅提高性能。
統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器IP
QDR IV統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器是一種帶有QDR-IV SRAM,并且為網(wǎng)絡(luò)交流管理和其他計(jì)數(shù)器應(yīng)用提供統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器的軟IP。該IP采用支持系統(tǒng)管理存取端口的讀—修改—寫邏輯。該IP的一端可以連接網(wǎng)絡(luò)處理單元(NPU),另一端可以連接 QDR-IV存儲控制器。由于該統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器支持400Gbps及更快速率的線卡,因此性能僅受限于所使用的FPGA和QDR-IV設(shè)備。
統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器IP的運(yùn)行
圖1是使用QDR-IV和統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器IP的用例。典型的網(wǎng)絡(luò)處理單元(NPU)以800M的每秒配對物更新速率發(fā)送統(tǒng)計(jì)(STATS)更新請求。每一項(xiàng)STATS請求包含在一個(gè)72位字中帶有兩個(gè)計(jì)數(shù)器(數(shù)據(jù)包和字節(jié)計(jì)數(shù))的入口/出口包命令令牌。整個(gè)計(jì)數(shù)器緩存數(shù)據(jù)以1秒為間隔,更新到系統(tǒng)存儲器中的終身計(jì)數(shù)器(通常為DRAM)。這一來自NPU的回讀被稱為處理器(PROCS)更新請求。PCIe接口用于傳輸計(jì)數(shù)器緩存數(shù)據(jù)以更新終身計(jì)數(shù)器。下圖顯示了STATS IP的設(shè)置和與Xilinx存儲控制器、PCIe總線和NPU連接的QDR-IV存儲器。
圖1:帶統(tǒng)計(jì)IP、NPU和存儲器的完整基礎(chǔ)架構(gòu)
統(tǒng)計(jì)IP適用于HP和XP QDR-IV存儲器。其運(yùn)行模式通過位于IP設(shè)計(jì)頂層接口的單一參數(shù)控制。兩個(gè)計(jì)數(shù)器(數(shù)據(jù)包和字節(jié))的每個(gè)流地址為單72位字。一個(gè)144Mb QDR-IV SRAM支持四百萬計(jì)數(shù)器。該設(shè)計(jì)所要求的IP接口數(shù)量與所使用的QDR-IV SRAM的數(shù)量相當(dāng)。
正如模塊圖所示,NPU通過4x25Gbps鏈路將統(tǒng)計(jì)和處理請求推送到IP中。IP的運(yùn)行頻率為存儲器存取頻率的四分之一,并且使用四條被稱為“通道”的平行數(shù)據(jù)路徑以匹配存儲器帶寬。在存儲接口HP和XP運(yùn)行模式中,端口A作為讀取端口,端口B作為寫入端口。每項(xiàng)統(tǒng)計(jì)請求對保存在與該請求相關(guān)的獨(dú)特存儲位置中的計(jì)數(shù)器數(shù)據(jù)進(jìn)行讀—修改—寫操作。
讀寫請求通過分階段來延遲與QDR-IV存儲器讀取延遲以及存儲控制器延遲的匹配。分階段設(shè)計(jì)也作為本地緩存累積延遲過程中的服務(wù)更新請求。在HP模式中,沒有統(tǒng)計(jì)/處理器更新地址限制通過四根通道中的任何一根。地址的發(fā)生可能是隨機(jī)的,并且無需給每根通道分配特定類型的地址。但由于在XP模式中存儲器的區(qū)塊結(jié)構(gòu)和限制與其相關(guān),因此通道0和1被分配到保存入口流數(shù)據(jù)的奇數(shù)地址位置,通道2和3被分配到保存出口流數(shù)據(jù)的偶數(shù)地址位置。這一獨(dú)特的安排可以預(yù)防可能在XP模式中發(fā)生的分塊限制位置。
處理器發(fā)出的一秒鐘回讀請求常見于這兩種運(yùn)行模式。整個(gè)存儲位置需要以一秒鐘間隔回讀,因此處理器不發(fā)出連續(xù)請求,并且以一秒鐘間隔時(shí)間分布。該活動(dòng)在每次通過處理器請求讀取后復(fù)位存儲器位置。
統(tǒng)計(jì)IP架構(gòu)
圖2中的STATS_IP架構(gòu)模塊圖標(biāo)出了三個(gè)子部件:每條通道的同地址比較管道(SACOMP)區(qū)塊、請求-復(fù)用-解復(fù)用(REQ_MXDMX_CHn)區(qū)塊以及每條QDR IV應(yīng)用通道1個(gè)的4個(gè)A-B通道配對計(jì)數(shù)器邏輯(ABCH_CTRL_CHn)區(qū)塊實(shí)例。
圖2:統(tǒng)計(jì)IP架構(gòu)
SACOMP模塊圖包含兩個(gè)管道階段,其中一個(gè)用于通過比較將同一時(shí)鐘周期上的所有四條通道進(jìn)行壓縮(SACOMP_ChN-to-All),另一個(gè)用于對單一通道上的同一地址進(jìn)行雙向(突發(fā)2)比較(SACOMP_B2BChN)。當(dāng)兩條或更多條通道在指定的時(shí)間實(shí)例中為同一地址時(shí),優(yōu)先性最高的通道積累地址相同的通道上出現(xiàn)的數(shù)據(jù),而所有其他優(yōu)先性較低、地址相同的通道都將失效。這確保了單一統(tǒng)計(jì)請求覆蓋所有地址相同的通道,從而預(yù)防出現(xiàn)任何數(shù)據(jù)一致性問題。比較和積累算法對所有可能的情況進(jìn)行快速評估。此外,在單根通道上,如果有同一存儲位置的雙向統(tǒng)計(jì)更新請求,則最新請求失效,其數(shù)據(jù)通過之前發(fā)生的請求積累。這樣能夠確保任何同一地址位置的雙向存取不會在QDR-IV存儲設(shè)備定義的讀取延遲中發(fā)生。
圖2所示的請求-復(fù)用– 解復(fù)用(RQMXDMXChn)區(qū)塊接收對應(yīng)通道數(shù)的處理器更新請求和統(tǒng)計(jì)更新請求。由于處理器更新請求的間隔時(shí)間固定,因此RQMXDMXchN選擇對應(yīng)下一個(gè)時(shí)鐘服務(wù)的處理器請求,并且通過“請求就緒”回壓信號停止統(tǒng)計(jì)請求。在開始處理每個(gè)一秒更新請求后,RQMXDMXchN停止配置時(shí)鐘數(shù)(默認(rèn)為10)的處理器請求通道以確保不會提供連續(xù)的一秒更新請求服務(wù)。停止信號發(fā)送至NPU,確保在回壓信號失效前不會產(chǎn)生新的請求。該機(jī)制能夠在不堵塞這一設(shè)計(jì)的情況下處理統(tǒng)計(jì)和處理器請求。
在最終階段,A-B通道配對計(jì)數(shù)器邏輯(ABCH_CTRLn)對每項(xiàng)統(tǒng)計(jì)請求實(shí)施實(shí)際的讀—修改—寫機(jī)制,同時(shí)確保對每一項(xiàng)處理器請求進(jìn)行最新讀取。該階段包含讀取-延時(shí)管道邏輯、控制復(fù)用、讀寫管道和QDR-IV控制器接口邏輯。讀寫延時(shí)管道考慮了內(nèi)存和控制器延遲。來自鄰近通道和同一通道控制復(fù)用的反饋機(jī)制杜絕所有數(shù)據(jù)一致性問題發(fā)生的可能性。管道中的請求流發(fā)起統(tǒng)計(jì)和處理器更新??刂茝?fù)用(CTRL_MUX)區(qū)塊區(qū)分處理器和統(tǒng)計(jì)請求,從而使當(dāng)前數(shù)據(jù)能夠作為處理器讀取數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)或者推送到控制器接口區(qū)塊以便進(jìn)行進(jìn)一步處理??刂破鹘涌趨^(qū)塊將實(shí)際的讀寫請求轉(zhuǎn)換為端口A和端口B上的控制器特定命令。
QDR-IV接口運(yùn)行和應(yīng)用通道映射
統(tǒng)計(jì)流四通道和一秒(處理器)更新四通道接口作為應(yīng)用通道。QDR IV控制器采用帶有為QDR IV端口A和端口B定義的專用四通道端口界面的4:1/1:4通道復(fù)用/解復(fù)用功能。QDR-IV控制器以固定順序?qū)νǖ肋M(jìn)行復(fù)用和解復(fù)用,應(yīng)用端和以4X時(shí)鐘頻率運(yùn)行的QDR IV設(shè)備端之間的順序?yàn)閏h0、ch1、ch2和ch3。圖3為所假設(shè)的QDR-IV控制器順序和建議的QDR IV HP統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器解決方案和QDR IV XP統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器解決方案應(yīng)用通道映射。
圖3 QDR-IV接口4:1/1:4 復(fù)用/解復(fù)用和應(yīng)用通道映射
在QDR-IV HP統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器中,端口A和端口B 的請求獨(dú)立于地址并按照Ch0-Ch1-Ch2-Ch3順序的排列。這是因?yàn)镠P模式無區(qū)塊要求,并且端口A和端口B上的請求可能包含同一位置的地址。但在QDR-IV XP統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器中,端口A和端口B的請求是以奇數(shù)-偶數(shù)-奇數(shù)-偶數(shù)為順序的排列的,這樣端口A和端口B在同一時(shí)鐘周期中就不會出現(xiàn)兩個(gè)屬于同一區(qū)塊的地址。
基于 QDR-IV SRAM的QDR IV 統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器IP為網(wǎng)絡(luò)流量管理和其他計(jì)數(shù)器的應(yīng)用提供了高效的統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)方案。
特別推薦
- 【“源”察秋毫系列】下一代半導(dǎo)體氧化鎵器件光電探測器應(yīng)用與測試
- 集成開關(guān)控制器如何提升系統(tǒng)能效?
- 工業(yè)峰會2024激發(fā)創(chuàng)新,推動(dòng)智能能源技術(shù)發(fā)展
- Melexis推出超低功耗車用非接觸式微功率開關(guān)芯片
- Bourns 發(fā)布新款薄型線性濾波器系列 SRF0502 系列
- 三菱電機(jī)開始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片樣品
- ROHM開發(fā)出支持更高電壓xEV系統(tǒng)的SiC肖特基勢壘二極管
技術(shù)文章更多>>
- AMTS & AHTE South China 2024圓滿落幕 持續(xù)發(fā)力探求創(chuàng)新,攜手并進(jìn)再踏新征程!
- 提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
- 意法半導(dǎo)體Web工具配合智能傳感器加快AIoT項(xiàng)目落地
- 韌性與創(chuàng)新并存,2024 IIC創(chuàng)實(shí)技術(shù)再獲獎(jiǎng)分享供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)下的自我成長
- 上海國際嵌入式展暨大會(embedded world China )與多家國際知名項(xiàng)目達(dá)成合作
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
傳感器
傳感器模塊
船型開關(guān)
串聯(lián)電阻公式
創(chuàng)智成
磁傳感器
磁環(huán)電感
磁敏三極管
磁性存儲器
磁性元件
磁珠電感
存儲器
大功率管
單向可控硅
刀開關(guān)
等離子顯示屏
低頻電感
低通濾波器
低音炮電路
滌綸電容
點(diǎn)膠設(shè)備
電池
電池管理系統(tǒng)
電磁蜂鳴器
電磁兼容
電磁爐危害
電動(dòng)車
電動(dòng)工具
電動(dòng)汽車
電感