【導(dǎo)讀】Intel 14nm工藝的過人之處大家有目共睹，但是和其他的相比又如何呢？日本同行PCWatch近日對Intel新工藝做了一番解析，更加凸顯了世界第一芯片巨頭的強悍。
我們詳細了解過Intel 14nm工藝的過人之處，但那基本只是單一的介紹，沒有和其他廠商、其他工藝的正面對比。日本同行PCWatch近日也對Intel新工藝做了一番解析，更加凸顯了世界第一芯片巨頭的強悍。
Intel 22nm工藝已經(jīng)率先使用了3D立體晶體管，14nm上將進化到第二代，其他廠商則會陸續(xù)上馬類似的FinFET，包括臺積電16nm、三星/GlobalFoundries14nm。
來看看幾個工藝的間距數(shù)據(jù)：
Intel 14nm的柵極間距為70nm，內(nèi)部互聯(lián)最小間距為52nm，這兩項指標分別比22nm縮小了22％、35％。
相比之下，臺積電16nm、三星/GF 14nm的柵極間距分別是90nm、78nm，前者只相當(dāng)于Intel 22nm的水平，后者也略弱一些，而內(nèi)部互聯(lián)最小間距則都是64nm，相比于Intel大了23％。
這些間距越小，就可以把晶體管做得更小、更密，對于電路集成度、芯片性能的重要性不言而喻。
Intel 14nm工藝的過人之處
Intel曾經(jīng)自己高調(diào)宣揚過，整個世界也都承認，無與倫比的先進制造工藝是這家芯片巨頭永遠令人眼紅的優(yōu)勢。14nm工藝雖然從年初拖到了年底，但到時候仍然是這個地球上最先進的。其他半導(dǎo)體企業(yè)紛紛減緩腳步或者合縱連橫的同時，Intel仍在堅持獨行，仍在引領(lǐng)世界。
隨著Broadwell-Y CoreM系列初步揭開面紗，Intel也公布了14nm工藝的大量相關(guān)資料，介紹了它的發(fā)展情況和技術(shù)優(yōu)勢。
簡單地說：
1、Intel 14nm工藝已經(jīng)通過各項驗證，并在美國俄勒岡、亞利桑那工廠投入了量產(chǎn)，明年還會加入愛爾蘭工廠。
2、它使用了第二代Tri-Gate(FinFET)立體晶體管技術(shù)，擁有業(yè)界領(lǐng)先的晶體管性能、功耗、密度和成本。
3、Broadwell家族將首先采用14nm工藝制造，其后陸續(xù)擴展到Intel各條處理器產(chǎn)品線。
4、Intel 14nm不但自己用，還會為很多客戶代工大量產(chǎn)品，從高性能到低功耗均可(已拿下Altera、松下)。
事實上，14nm也是迄今為止Intel面臨的最艱難的挑戰(zhàn)，Intel對此也是很坦誠，并沒有遮遮掩掩。根據(jù)官方數(shù)據(jù)，14nm工藝良品率初期低得要命，直到今年第二季度末才達到量產(chǎn)標準，預(yù)計2015年第一季度才能追上22nm的水平，后者迄今仍是Intel良品率最高的工藝。
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也只有到了2015年上半年，14nm的良品率、產(chǎn)能兩個關(guān)鍵指標才能都滿足多條產(chǎn)品線的需求。這也正是Broadwell為什么首發(fā)只有一個超低壓版的CoreM系列，更多產(chǎn)品明年才會發(fā)布的根本原因。
下邊繼續(xù)跟隨Intel的幻燈片，一起看看14nm工藝的神氣，尤其是和現(xiàn)有的22nm好好對比對比。
22nm上率先引入了Tri-Gate三柵極立體晶體管技術(shù)，堪稱半導(dǎo)體歷史上的一次革命。雖然帶來了晶體管密度等方面的一些問題，導(dǎo)致核心面積過小、發(fā)熱密度升高，但仍然是大勢所趨，其他廠商紛紛引入，不過在名字上都叫做FinFET，異曲同工。
晶體管鰭片是最能反應(yīng)該技術(shù)進步的地方。鰭片高度從34nm增至42nm(進步比例24％)，更高更薄可以改善驅(qū)動電流、性能；間距從60nm縮小到42nm(進步比例30％)，可以提高集成密度；整體所需鰭片數(shù)量減少，可以改進集成密度、降低電容。
另外，晶體管柵極間距、互聯(lián)間距也分別縮小到了70nm、52nm，進步比例為22％、35％。
鰭片外圍覆蓋著的(黃色)就是金屬柵極。
層連最小間距也從80nm來到了52nm(進步比例35％)。
SRAM存儲單元的面積，上代是0.108平方微米，現(xiàn)在僅為0.0588平方微米，進步比例達46％，幾乎縮小了一半。
