- 優(yōu)異的導(dǎo)通阻抗
- 更高的開關(guān)性能
- 優(yōu)化的低門電荷及低導(dǎo)通阻抗
- 無鉛、無鹵素，符合RoHS指令
- 計算機(PC)、服務(wù)器、游戲機、處理器穩(wěn)壓電源(VRM)
- 負載點(POL)應(yīng)用中的同步直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝， 為計算機和游戲機應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關(guān)性能。
新系列的MOSFET利用安森美半導(dǎo)體獲市場驗證的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)異的導(dǎo)通阻抗[RDS(on)]及更高的開關(guān)性能，用于個人計算機(PC)、服務(wù)器、游戲機、處理器穩(wěn)壓電源(VRM)及負載點(POL)應(yīng)用中的同步直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器。直接替代NTD48x、NTMFS48x及NTMS48x系列的DPAK、SO-8FL及SOIC-8封裝方案，以及新的µ8FL 3.3 mm x 3.3 mm封裝方案，就其封裝尺寸而言，提供業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通阻抗。
安森美半導(dǎo)體功率MOSFET產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“計算機和游戲機領(lǐng)域的電源管理設(shè)計工程師能夠利用安森美半導(dǎo)體最新的30 V溝槽MOSFET方案提升總能效。我們利用電源管理及封裝技術(shù)專長，為我們的客戶提供多種方案，以應(yīng)對提升能效及節(jié)省空間等設(shè)計挑戰(zhàn)。”
安森美半導(dǎo)體的新MOSFET采用先進的封裝系列，具有優(yōu)化的低門電荷及低導(dǎo)通阻抗，提升開關(guān)性能及系統(tǒng)總能效。所有器件均為無鉛、無鹵素器件，且符合RoHS指令。
