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如何確保有源EMI濾波器的穩(wěn)定性和性能

發(fā)布時(shí)間:2022-10-24 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】作為昂貴的傳統(tǒng)大型無(wú)源濾波器的出色替代品,有源電磁干擾濾波器 (AEF) 可以幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)不斷增加的 EMI挑戰(zhàn)、提高功率密度以及降低電源解決方案的成本。參考文獻(xiàn)展示了在德州儀器 (TI) LM25149-Q1 降壓控制器中實(shí)施 AEF 后,尺寸減小大約 50%,體積減小超過(guò)75%。


大多數(shù) AEF 使用基于運(yùn)算放大器的有源電路來(lái)檢測(cè)噪聲并注入適當(dāng)?shù)南盘?hào)以降低 EMI,例如 LM25149-Q1 中集成的 AEF。為了使用這種 AEF 實(shí)現(xiàn)出色性能,運(yùn)算放大器電路需要保持穩(wěn)定且運(yùn)算放大器應(yīng)處于非飽和狀態(tài)。否則,AEF 的性能會(huì)更差,甚至可能會(huì)在系統(tǒng)中注入額外的噪聲。本文將探討如何采用適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償和阻尼技術(shù)實(shí)現(xiàn)AEF 的穩(wěn)定性和出色性能。


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AEF 補(bǔ)償


圖 1(a) 顯示了一個(gè)無(wú)補(bǔ)償?shù)?AEF。在圖 1 中,VS 是噪聲源,ZS是內(nèi)部阻抗,ZL 是線路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)或電源的阻抗,Cin 是電源轉(zhuǎn)換器的輸入電容器,L 是差模電感器,Csense 和 Cinj是感應(yīng)電容器和注入電容器,RDC_fb 為Op_amp 提供直流反饋,Cpara 是電源布線和接地之間的寄生電容。


作為一個(gè)基于運(yùn)算放大器的反饋電路,圖 1(a) 中的 AEF 會(huì)變得不穩(wěn)定,進(jìn)而導(dǎo)致運(yùn)算放大器飽和。在這種情況下,AEF 的性能會(huì)受到顯著影響,并且 AEF 可能會(huì)消耗更多功率并在系統(tǒng)中注入額外的噪聲。由于運(yùn)算放大器的負(fù)載網(wǎng)絡(luò)很復(fù)雜,圖 1a 中的 AEF 在低頻和高頻下都會(huì)不穩(wěn)定。


在低頻(例如在 10 kHz 與 50 kHz 之間)下,環(huán)路增益的相位會(huì)變?yōu)檎?180 度,系統(tǒng)會(huì)變得不穩(wěn)定,造成這種問(wèn)題的主要原因是 Cinj 與 L 以及 Csen 與 RDC_fb 形成了分壓器。低頻補(bǔ)償?shù)囊环N方法是添加 Rcomp 和 Ccomp 與 RDC_fb并聯(lián),如圖 1(b) 所示。Ccomp 通過(guò)使反饋網(wǎng)絡(luò)在低頻下具有容性來(lái)進(jìn)行低頻補(bǔ)償。Rcomp 用于確保 AEF 的性能。此外,轉(zhuǎn)換器的輸入端通常用電解電容器來(lái)存儲(chǔ)能量并確保轉(zhuǎn)換器穩(wěn)定。電解電容器的等效串聯(lián)電阻 (ESR) 也有助于提高低頻穩(wěn)定性。


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圖 1. 無(wú)補(bǔ)償?shù)?AEF (a) ;有補(bǔ)償?shù)?AEF (b) 。


在高頻下,運(yùn)算放大器和 Cpara 的輸出阻抗會(huì)產(chǎn)生一個(gè)極點(diǎn),造成環(huán)路增益的相位滯后。此外,運(yùn)算放大器通常具有低頻極點(diǎn)。因此,環(huán)路增益在高頻下將具有兩個(gè)極點(diǎn)且其相位接近負(fù) 180°,這會(huì)導(dǎo)致在高頻下不穩(wěn)定。Rcomp1 和Ccomp1 (圖 1(b) 中)用于高頻補(bǔ)償,大小為 100 nF 和0.5Ω。Rcomp1 和 Ccomp1 可以增加高頻下環(huán)路增益的相位,使系統(tǒng)具有足夠的相位裕度來(lái)保證高頻穩(wěn)定性。在某些應(yīng)用中,高頻陶瓷電容器(例如 10 nF 或 100 nF)對(duì)于高頻噪聲過(guò)濾或?qū)τ诒Wo(hù)電路(例如用于反向保護(hù)的智能二極管)而言是必不可少的。在此類情況下,有幾種方法可以保持高頻穩(wěn)定性:


●   在檢測(cè)/注入節(jié)點(diǎn)和高頻陶瓷電容器之間插入鐵氧體磁珠以將它們解耦。

●   添加與高頻電容器串聯(lián)的小電阻器以進(jìn)行補(bǔ)償。

●   將高頻電容器放置在遠(yuǎn)離 AEF 的位置,因?yàn)樘沾呻娙?/p>


器和印刷電路板布線的 ESR 和等效串聯(lián)電感 (ESL) 也有助于提高高頻穩(wěn)定性。

總體而言,必須確保檢測(cè)/注入節(jié)點(diǎn)對(duì)地的阻抗不受高頻(10 MHz 至 50 MHz)電容控制。


AEF 阻尼


由于熱變化或開(kāi)關(guān)抖動(dòng),電源轉(zhuǎn)換器可能會(huì)在低于開(kāi)關(guān)頻率的頻率下產(chǎn)生噪聲(在本文中被稱為低頻干擾)。對(duì)于圖 1(b) 中的 AEF,方程式 1 將其等效阻抗表示為:


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其中,Zop 和 Gop_amp 是輸出阻抗和從檢測(cè)節(jié)點(diǎn)到運(yùn)算放大器輸出端的電壓增益,而 ZC_inj 是注入電容器的阻抗。


根據(jù)方程式 1,圖 1(b) 中的 AEF 的等效阻抗在低頻下具有容性。因此,AEF 會(huì)在低頻(例如在 10 kHz 到 100 kHz之間)下與差模電感器 L 發(fā)生諧振。考慮到這種諧振,低頻干擾會(huì)使運(yùn)算放大器輸出電壓和輸出電流較大。由于運(yùn)算放大器的輸出擺幅和輸出電流能力有限,運(yùn)算放大器會(huì)進(jìn)入非線性區(qū)域甚至達(dá)到飽和狀態(tài),這可能會(huì)影響 AEF 性能并導(dǎo)致 AEF 向系統(tǒng)中注入額外的噪聲。


處理這一問(wèn)題需要抑制諧振。圖 2 顯示的兩種阻尼方法使AEF 在諧振頻率下具有較小的電容。在圖 2(a) 中,阻尼電阻器 Rdamp 被插入到注入路徑中。這樣,Rdamp 越大,諧振阻尼越佳。然而,插入阻尼網(wǎng)絡(luò)后,方程式 2 將 AEF 的等效阻抗表示為:


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其中,Zdamp 是阻尼網(wǎng)絡(luò)的阻抗。


較大的 Rdamp 會(huì)增加 Zeq_AEF ,從而影響 AEF 的性能。所以這種阻尼方法主要適用于高頻開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器,比如 2 MHz的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器。為了有效抑制諧振,品質(zhì)因數(shù)應(yīng)在 1 左右或以下。若要使品質(zhì)因數(shù)接近 1,請(qǐng)?jiān)谟?jì)算 Rdamp時(shí)采用方程式 3:


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為了提高圖 2(a) 所示的 AEF 的性能,請(qǐng)將電容器 Cdamp與阻尼電阻器 Rdamp 并聯(lián),如圖 2(b) 所示。在諧振頻率下,電阻器 Rdamp 將控制阻尼網(wǎng)絡(luò)的阻抗以抑制諧振。在AEF 需要進(jìn)行噪聲衰減的高頻下,電容器 Cdamp 將控制阻尼網(wǎng)絡(luò)的阻抗,從而確保 AEF 的性能。按照中所示的類似優(yōu)化方法,方程式 4 和方程式 5 表示了一個(gè)用于諧振阻尼的良好 Rdamp 和 Cdamp 組合:


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圖 2. 抑制差模電感器和 AEF 諧振的方法:電阻器阻尼 (a) ;電阻器和電容器并聯(lián)阻尼 (b) 。


圖 3 顯示了 400 kHz 降壓轉(zhuǎn)換器在 10 kHz 至 1 MHz 范圍內(nèi)的頻譜測(cè)試結(jié)果(對(duì)應(yīng)于 AEF 關(guān)閉、AEF 開(kāi)啟但無(wú)阻尼、AEF 開(kāi)啟且有電阻器-電容器并聯(lián)阻尼的情況),其中基于方程式 4 和方程式 5 選擇 Rdamp 和 Cdamp 。在圖 4 中無(wú)阻尼的情況下,諧振會(huì)在大約 30 kHz 處出現(xiàn)尖峰,這會(huì)影響 AEF 性能并使本底噪聲增加。使用阻尼網(wǎng)絡(luò)后,諧振尖峰現(xiàn)在位于 45 kHz 處,但其幅度大大降低,這意味著已成功抑制諧振。因此,AEF 有效地抑制了高頻噪聲,并且本底噪聲大幅降低。


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圖 3. 有阻尼和無(wú)阻尼的測(cè)試結(jié)果。


同時(shí)具有補(bǔ)償和阻尼特性的 AEF 性能


通過(guò)進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償和阻尼,AEF 可以實(shí)現(xiàn)顯著的降噪效果,如圖 4 所示。測(cè)量結(jié)果是使用 440 kHz 電源轉(zhuǎn)換器獲得的,輸入電壓為 12V,輸出為 5V/5A。AEF 和轉(zhuǎn)換器均采用 LM25149-Q1 實(shí)現(xiàn)。L 為 1μH,Csense 為 100 nF,RDC_fb 為 50 kΩ,Cinj 為 470 nF。針對(duì)補(bǔ)償,低頻補(bǔ)償采用 1 kΩ Rcomp 和 1 nF Ccomp ,高頻補(bǔ)償采用 0.5 ΩRcomp1和 100 nF Ccomp1


針對(duì)阻尼,使用的是電阻器和電容器并聯(lián)阻尼;Rdamp 為15 Ω,Cdamp 為 220 nF。如圖 4 所示,AEF 在 440 kHz下可實(shí)現(xiàn)約 50 dB 的噪聲衰減。與性能類似的無(wú)源濾波器相比,尺寸可以縮小約 50%,體積可以縮小約 75%。


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圖 4. 進(jìn)行適當(dāng)補(bǔ)償和阻尼的 AEF 的降噪情況。


結(jié)論


補(bǔ)償和阻尼對(duì)于實(shí)現(xiàn)良好的 AEF 性能至關(guān)重要。本文討論的方法都可以通過(guò) LM25149 中集成的 AEF 輕松實(shí)現(xiàn)。通過(guò)采用適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償和阻尼,AEF 可以實(shí)現(xiàn)顯著的降噪效果。電力電子設(shè)計(jì)人員應(yīng)該利用 AEF 來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更低的成本。


作者:Yongbin Chu ;Yogesh Ramadass  來(lái)源:TI



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