【導讀】關于SiC MOSFET的并聯問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯條件下的均流特性。
特別提醒
仿真無法替代實驗，僅供參考。
1、選取仿真研究對象
SiC MOSFET
IMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯
Driver IC
1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅動電流±4A(min)
2、仿真電路Setup
如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并聯的主回路和驅動回路，并設置相關雜散參數，環(huán)境溫度為室溫。
外部主回路：直流源800Vdc、母線電容Capacitor(含寄生參數)、母線電容與半橋電路之間的雜散電感Ldc_P和Ldc_N、雙脈沖電感Ls_DPT
并聯主回路：整體為半橋結構，雙脈沖驅動下橋SiC MOSFET，與上橋的SiC MOSFET Body Diode進行換流。下橋為Q11和Q12兩顆IMZ120R045M1，經過各自發(fā)射極(源極)電感Lex_Q11和Lex_Q12，以及各自集電極(漏極)電感Lcx_Q11和Lcx_Q12并聯到一起；同理上橋的Q21和Q22的并聯結構也是類似連接。
并聯驅動回路：基于TO247-4pin的開爾文結構，功率發(fā)射極與信號發(fā)射級可彼此解耦，再加上1EDI40I12AF這顆驅動芯片已配備OUTP與OUTN管腳，所以每個單管的驅動部分都有各自的Rgon、Rgoff和Rgee(發(fā)射極電阻)，進行兩并聯后與驅動IC的副邊相應管腳連接。
驅動部分設置：通過調整驅動IC副邊電源和穩(wěn)壓電路，調整門級電壓Vgs=+15V/-3V，然后設置門極電阻Rgon=15Ω，Rgoff=5Ω，Rgee先近似設為0Ω(1pΩ)，外加單管門極與驅動IC之間的PCB走線電感。
圖1.基于TO247-4Pin的SiC雙管并聯的雙脈沖電路示意圖
3、并聯動態(tài)均流仿真
SiC MOSFET并聯的動態(tài)均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開關速度更快，對一些并聯參數會更為敏感。如圖2所示，我們先分析下橋Q11和Q12在雙脈沖開關過程中的動態(tài)均流特性及其影響因素：
圖2.下橋SiC雙管并聯的雙脈沖電路示意圖
3.1 器件外部功率源極電感Lex對并聯開關特性的影響
設置Lex_Q11=5nH,Lex_Q12=10nH，其他參數及仿真結果如下：
圖3.不同Lex電感的并聯均流仿真結果
3.2 器件外部功率漏極電感Lcx對并聯開關特性的影響
設置Lcx_Q11=5nH,Lcx_Q12=10nH，其他參數及仿真結果如下：
圖4.不同Lcx電感的并聯均流仿真結果
3.3 器件外部門級電感Lgx對并聯開關特性的影響
設置門級電感Lgx_Q11=20nH,Lgx_Q12=40nH，其中Rgon和Rgoff的門級電感都是Lgx，其他參數及仿真結果如下：
圖5.不同Lgx電感的并聯均流仿真結果
3.4器件外部源極環(huán)流電感Lgxe和環(huán)流電阻Rgee對并聯開關特性的影響
在Lex電感不對稱(不均流)的情況下，設置不同的源極抑制電感和電阻Lgxe=20nH,Rgee=1Ω和3Ω，看看對驅動環(huán)流的抑制與均流效果，其仿真結果如下：
圖6.加源極抑制電感和電阻之前(虛線)和加之后(實線)的均流特性變化
圖7.不同源極抑制電感和電阻(1Ω虛線)和(3Ω實線)的均流特性變化
4、總結
基于以上TO247-4pin的SiC MOSFET兩并聯的仿真條件與結果，我們可以得到如下一些初步的結論：
1、并聯單管的源極電感Lex差異，SiC MOSFET的開通與關斷的均流對此非常敏感。因為，源極電感的差異也會耦合影響到驅動回路，以進一步影響均流。如下圖8所示，以關斷為例，由于源極電感Lex不同，造成源極環(huán)流和源極的電位差(VQ11_EE-VQ12_EE)，推高了Q11源極電壓VQ11_EE，間接降低了Q11門級與源極之間的電壓Vgs_Q11。
圖8.不同源極電感時，關斷時的源極環(huán)流與源極電位差
2、并聯單管的漏極電感Lcx差異，對均流影響的影響程度要明顯低與源極電感。因為漏極電感不會直接影響由輔助源極和功率源極構成的源極環(huán)流回路。
3、門極電感差異對動態(tài)均流的影響不明顯，而且驅動電壓Vgs波形幾乎沒有變化。如果把主回路的總雜散電感減小，同時把門級電阻變小，讓SiC工作在更快的di/dt和dv/dt環(huán)境，此時門級電感對均流的影響可能會稍微明顯一點。
4、輔助源極電阻Rgee，對抑制源極環(huán)流和改善動態(tài)均流的效果也不甚明顯。
在這里提出另一個問題：既然Rgee對抑制源極環(huán)流效果一般，那如果給門極增加一點Cge電容呢？請看以下仿真：
圖9 增加1nF門級Cge電容對源極不均流特性的影響(虛線為無Cge，實線為有Cge)
由上述仿真可以看出，Cge電容對于關斷幾乎沒有影響，而Cge之于開通只是以更慢的開通速度，增加了Eon，同時減輕了開通電流振蕩，但是對于開通的均流差異和損耗差異，影響也不大。
張浩 英飛凌工業(yè)半導體
免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在于傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題，請聯系小編進行處理。
推薦閱讀：
專家支招：如何解決在工業(yè)應用中實施視覺系統(tǒng)的挑戰(zhàn)？
