氮化鎵已為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備
發(fā)布時(shí)間:2021-01-15 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】術(shù)語“準(zhǔn)備就緒”竟然有如此多不同的含義,真是有趣。若您兒孫滿堂,“準(zhǔn)備就緒”是指您需要輪流做許多準(zhǔn)備;我們不會(huì)離開30分鐘。在飛機(jī)上,“準(zhǔn)備就緒”意味著收起您的手機(jī);這樣,飛機(jī)最終才能安全起飛。
我們已聽到我們的行業(yè)代言人宣布,“GaN將迎來黃金發(fā)展時(shí)間。”這一公告似乎在暗示,GaN已準(zhǔn)備好出現(xiàn)在廣大聽眾、用戶或?yàn)閿?shù)眾多的應(yīng)用面前。這也表明,GaN技術(shù)已經(jīng)如此成熟,不能認(rèn)為它是一個(gè)有問題的技術(shù)。我會(huì)讓您自己決定哪些東西是正確的。
因此,當(dāng)我說“GaN已為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備”時(shí),您懂我的意思嗎?測(cè)試GaN的一種方法是查看采用GaN的電源的開發(fā)過程。多數(shù)情況下,電源設(shè)計(jì)人員使用數(shù)字控制來演示GaN應(yīng)用。這可能是因?yàn)閿?shù)字化控制的靈活性較好,能夠讓設(shè)計(jì)人員精確控制開關(guān)波形。也可能是數(shù)字控制可以提供克服任意GaN缺點(diǎn)的多個(gè)控制回路和保護(hù)電路。
我認(rèn)為,“GaN已為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備”的含義比我上述提到的更豐富,但它也意味著數(shù)字控制也做好準(zhǔn)備迎接GaN。對(duì)于做好準(zhǔn)備迎接GaN的數(shù)字電源控制來講,它需要時(shí)間基分辨率、采樣分辨率和計(jì)算馬力用于更高的開關(guān)頻率、更窄的占空比和精確的死區(qū)時(shí)間控制。圖1和2所示為硅(Si)MOSFET和GaN MOSFET的上升和下降時(shí)間。圖中數(shù)字顯示死區(qū)時(shí)間存在兩倍的差異,硅 MOSFET速度更慢。此外,GaN MOSFET的上升和下降更加線性。這些屬性使得更精細(xì)的邊緣控制非??扇?。
GaN可在無需支付后續(xù)費(fèi)用的情況下增大開關(guān)頻率。利用這一優(yōu)點(diǎn),可以在功率級(jí)中縮小無源元件尺寸,并加快瞬變響應(yīng)速度。但是,要對(duì)這些較高頻率進(jìn)行所需的控制,控制電路速度必須更快。例如,采樣和轉(zhuǎn)換時(shí)間需要足夠快,才不會(huì)限制占空比寬度或相位延遲。此外,接下來針對(duì)控制工作的計(jì)算需要足夠快,以不限制開關(guān)速度。對(duì)于如今頻率大于1MHz的開關(guān)電源,需要在少數(shù)100ns中完成采樣和轉(zhuǎn)換。計(jì)算延遲也必須處于這一范圍。
幸運(yùn)的是,多年來,我們生產(chǎn)的數(shù)字電源控制器一直具備這一能力。并非所有數(shù)字電源控制器都能滿足這些需求,但是至少電源設(shè)計(jì)人員有選擇權(quán)。
因此,GaN為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備了嗎?我們得到的答案更多是數(shù)字電源控制已準(zhǔn)備好迎接GaN。因此,隨著GaN繼續(xù)開發(fā),并應(yīng)用于高密度和高性能電源解決方案,我們不必等待開發(fā)控制器時(shí)要借助GaN帶給行業(yè)的優(yōu)勢(shì)。因此,這就是“準(zhǔn)備就緒”的含義:它是指“現(xiàn)在就開始”。
您對(duì)這個(gè)問題有什么看法呢?
圖1:諧振LLC硅MOSFET死區(qū)時(shí)間
圖2:LLC GaN MOSFET死區(qū)時(shí)間
免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀:
特別推薦
- 【“源”察秋毫系列】下一代半導(dǎo)體氧化鎵器件光電探測(cè)器應(yīng)用與測(cè)試
- 集成開關(guān)控制器如何提升系統(tǒng)能效?
- 工業(yè)峰會(huì)2024激發(fā)創(chuàng)新,推動(dòng)智能能源技術(shù)發(fā)展
- Melexis推出超低功耗車用非接觸式微功率開關(guān)芯片
- Bourns 發(fā)布新款薄型線性濾波器系列 SRF0502 系列
- 三菱電機(jī)開始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片樣品
- ROHM開發(fā)出支持更高電壓xEV系統(tǒng)的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
技術(shù)文章更多>>
- AMTS & AHTE South China 2024圓滿落幕 持續(xù)發(fā)力探求創(chuàng)新,攜手并進(jìn)再踏新征程!
- 提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
- 意法半導(dǎo)體Web工具配合智能傳感器加快AIoT項(xiàng)目落地
- 韌性與創(chuàng)新并存,2024 IIC創(chuàng)實(shí)技術(shù)再獲獎(jiǎng)分享供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)下的自我成長(zhǎng)
- 上海國(guó)際嵌入式展暨大會(huì)(embedded world China )與多家國(guó)際知名項(xiàng)目達(dá)成合作
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
SynQor
s端子線
Taiyo Yuden
TDK-EPC
TD-SCDMA功放
TD-SCDMA基帶
TE
Tektronix
Thunderbolt
TI
TOREX
TTI
TVS
UPS電源
USB3.0
USB 3.0主控芯片
USB傳輸速度
usb存儲(chǔ)器
USB連接器
VGA連接器
Vishay
WCDMA功放
WCDMA基帶
Wi-Fi
Wi-Fi芯片
window8
WPG
XILINX
Zigbee
ZigBee Pro