Teledyne e2v微處理器:?可靠性的差異
發(fā)布時間:2020-01-08 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】今天讓我們進(jìn)??場技術(shù)問答?賽。準(zhǔn)備好了嗎?你能在15秒內(nèi)列舉出關(guān)鍵?運算量系統(tǒng)(如飛?電?、宇航和國防系統(tǒng))的最關(guān)鍵的需求嗎?
你的回答是否包括這些答案:長壽命,可靠性,滿?嚴(yán)苛環(huán)境的要求,擴展的?命周期......?
這是?個好的開始!
在超過35年?,Teledyne e2v?直成功地為世界上的飛?電?、宇航和國防的客戶(包括空客、波?、NASA、ESA等)提供?代??代的?可靠性微處理器。
在這篇?章?,我們?先會列出宇航和國防客戶最關(guān)鍵的需求,然后詳細(xì)闡述Teledyne e2v的微處理器是如何完美地滿?這些?可靠性的需求,接著深?介紹這些?可靠性微處理器的質(zhì)量認(rèn)證。
擴展溫度范圍的電?產(chǎn)品和機械產(chǎn)品的完整性
與我們?活中常見的產(chǎn)品如汽車和?機不同,飛?電?、宇航和國防系統(tǒng)被設(shè)計為能?作在更極端的條件下。
很容易理解,擴展的溫度范圍是?要的要求。
在10000米/35000英尺?度巡航的飛機和在地球陰影下的衛(wèi)星都暴露在遠(yuǎn)低于冰點的溫度中。雖然電?系統(tǒng)被很好地保護(hù),他們在這種超低溫的條件下的?為必須能夠被很好的預(yù)測。
另???,系統(tǒng)必須能在由?標(biāo)應(yīng)?特點決定的極熱的條件下正常?作:其原因可能是受限的環(huán)境(?如板?的布局)、可靠性要求?風(fēng)扇設(shè)計或確保系統(tǒng)在最壞條件下依然能?作。
圖 1: 飛?電?、宇航和國防的溫度需求 vs ?業(yè)級
這種需求會影響電?器件的設(shè)計,從?兼容寬溫度范圍,如-55℃到125℃(有時叫做軍級),如圖1所?。
焊球
焊球也是航空、航天和國防客戶的關(guān)鍵議題。在集成電路的封裝中,焊球是器件底部的接觸?絡(luò),?于焊接在印制電路板(PCB)上。
系統(tǒng)制造商多年來?直使?錫鉛球(也叫作Sn-Pb),對此有豐富的經(jīng)驗。?直以來,鉛被認(rèn)為可以減弱錫須的形成,雖然其具體的機制?直?法知曉。為了與其他不含鉛的焊球區(qū)分,這些含鉛的焊球被標(biāo)注為Tin-Lead或SnPb。
關(guān)于限制使?某些有害成分的指令(RoHS)限制在?多數(shù)消費類產(chǎn)品中使?鉛,催?了錫銀銅焊接?藝的應(yīng)?,這種?藝也叫作?鉛或RoHS。
多年來,電?元器件包括微處理器的制造商?直在同時推?含鉛(Sn-Pb)和?鉛(RoHS)的選項,但最近?年來,只推?RoHS選項成了?種趨勢。
由于?鉛產(chǎn)品的特性尚未被完全探明,在關(guān)鍵的領(lǐng)域?如航空、航天和國防的應(yīng)?中,依然不流?使??鉛產(chǎn)品。由于客戶需熟悉?鉛的?藝,從含鉛到?鉛的轉(zhuǎn)換也會增加產(chǎn)品周期。
圖 2:焊球
今天,在歐洲?鉛的普及率?美國和亞太區(qū)?,但是距離100%還很遙遠(yuǎn)。在歐洲的飛?電?和國防系統(tǒng)中,?鉛的使?率也沒到100%。
在美國和亞洲的飛?電?和國防系統(tǒng)中,?鉛器件的普及率要低得多。
因此,繼續(xù)?產(chǎn)和測試含鉛焊球的器件,依然有很?的市場需求。
長壽命
長壽命也是飛?電?、宇航和國防系統(tǒng)的?個關(guān)鍵點,或者是?個負(fù)擔(dān),或者兩者兼有。
為什么?原因如下。
在飛?電?領(lǐng)域,?融投資對于制造關(guān)鍵安全性的系統(tǒng)?常重要。制造、驗證并使系統(tǒng)通過航空局的認(rèn)證耗時很長(5到10年)。因此,?旦系統(tǒng)經(jīng)過認(rèn)證,飛?電?制造商希望盡可能不進(jìn)?任何改動地重?這個系統(tǒng)。
這意味著對電?元器件的采購??,需在數(shù)?年內(nèi)能采購到這些器件,以確保能夠持續(xù)制造相同的經(jīng)過驗證的系統(tǒng),?不進(jìn)?任何改動。你會發(fā)現(xiàn)某些飛機已經(jīng)很?了,但是依然滿?安全性的要求。
TELEDYNE E2V?可靠性微處理器質(zhì)量認(rèn)證
Teledyne e2v已經(jīng)?產(chǎn)?可靠性微處理器超過35年的時間,其關(guān)鍵的優(yōu)點如下:
• 擴展溫度范圍: -55 到125℃
•提供?鉛(RoHS)和含鉛(SnPb)封裝產(chǎn)品的質(zhì)量保證
•長期供貨 (超過15年).
• Teledyne e2v的產(chǎn)品?持延長的?可靠性質(zhì)保
• ?持AS / EN / JIS Q 9100 (格?諾布爾, 法國)的航空認(rèn)證
Teledyne e2v的?可靠性產(chǎn)品的質(zhì)量保證包含四個主要的步驟。
讓我們仔細(xì)看?下這些步驟。
?旦Teledyne e2v決定將?款新產(chǎn)品加??可靠性微處理器的系列中,它將遵循下?的步驟評估和認(rèn)證這?產(chǎn)品。
1. 產(chǎn)品轉(zhuǎn)移
第?步的關(guān)鍵是保證可以擴展商?微處理器的溫度范圍。最重要的是,獲得制造商的原始測試程序并使?相同的測試設(shè)備。這使得Teledyne e2v能保證在?可靠性的溫度范圍(-55/125℃)內(nèi)正常?作,并和原始制造商有相同的測試范圍和測試質(zhì)量。
Teledyne e2v?直持續(xù)投資其測試設(shè)備以保證新舊NXP微處理器的?可靠性。圖3表?多年來Teledyne e2v獲取和使?的不同的測試設(shè)備,以保證長期供貨并引?新的處理器技術(shù)。圖中在測試設(shè)備的附近還標(biāo)注了相關(guān)的處理器系列。
2. 特性描述
圖 3:測試設(shè)備
這個步驟的?標(biāo)是確定關(guān)鍵參數(shù)(CPU頻率、電壓、功耗、SERDES和PLL等)在擴展溫度范圍-55到125℃是怎樣的值。
- 在125℃時器件的功耗是多少?
- 在105℃以上或-55℃時PLL會鎖定嗎?
- 在125℃時器件能跑到最?的頻率嗎?
特性描述的步驟可回答這些問題,所有在擴展環(huán)境中的實際測試數(shù)據(jù)都會放在提供給?戶的數(shù)據(jù)?冊中。
同時,特性描述實際上使得Teledyne e2v可保證長期的供貨,即使時間推移、?藝調(diào)整也能穩(wěn)定制造產(chǎn)品和出貨。
圖4表明擴展溫度范圍(105℃到125℃)如何影響功耗。這些特性描述步驟得到的值會反映在產(chǎn)品的數(shù)據(jù)?冊中。
圖4: 功耗 vs 溫度
另???,下圖表明在擴展溫度范圍?CPU頻率隨電源電壓的變化。上?的曲線表明Vmin跨越了Vid最?值的最?規(guī)格,因此?法保證在擴展溫度范圍可實現(xiàn)1.8GHz的頻率。因此,Teledyne e2v會按照1.6GHz的規(guī)格?產(chǎn),因為這個頻率能滿?擴展溫度范圍的要求。
圖5: CPU頻率 vs 電源電壓
3. 去球/重植球
在這個階段,Teledyne e2v復(fù)制產(chǎn)品的配置。
• 第?種是原始的配置,即?鉛(RoHS)焊球。
• 第?種是含鉛(SnPb)焊球。
這?流程可簡單描述為移除焊球,然后使?另?種?屬/合?植球。但是,實際上這?常的復(fù)雜,帶給客戶的價值也?常?。?先,某些處理器可能包含接近2000個焊球,更重要的是,Teledyne e2v完全保證去球和重植球后器件的機械和電?完整性。
客戶如果??去球/重植球,會丟失原始制造商的產(chǎn)品質(zhì)保。
我們在進(jìn)?下?的實例分析之后,再來看這?點。
4. 質(zhì)量保證
這個步驟是通過加速?化的實驗,確保產(chǎn)品全?命周期的可靠性。
圖6表明Teledyne e2v遵循的所有關(guān)于?可靠性微處理器的質(zhì)量流程。完整的產(chǎn)品質(zhì)量流程?般會持續(xù)4到6個?。?共有7個連續(xù)的步驟,包含4個主要的活動:
• 聲學(xué)顯微鏡, ?于T0時檢查器件的組裝。它也被?于其他質(zhì)量步驟之后以檢查器件的完整性。
• MSL(濕度敏感度等級測試),實際上是模擬三種器件的回流焊。
• 在-55℃、25℃和125℃下的電?參數(shù)測試,以確保器件的性能,并確定器件?化時性能將如何變化。
• 可靠性測試,包含濕度測試和溫度循環(huán),也為了監(jiān)控器件?化時的?為。
通常,?家會對所有的產(chǎn)品選項做產(chǎn)品質(zhì)量測試,包括?鉛版本和有鉛版本(去球并重植球)。
圖6: Teledyne e2v質(zhì)量流
如果產(chǎn)品通過了Teledyne e2v所有的質(zhì)量和認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn),它就可被視作質(zhì)量合格。
實例分析 - 去球/重植球質(zhì)量流程
讓我們重點看?下聲學(xué)顯微鏡檢查的重要性。假設(shè)?款微處理器器件經(jīng)過去球/重植球的操作之后變成了含鉛(SnPb)的器件。
在產(chǎn)品質(zhì)量測試的第?步,將對重新植球的含鉛器件進(jìn)?聲學(xué)顯微鏡檢查。
圖7表明同?款微處理器產(chǎn)品,其中??經(jīng)過去球/重植球流程(選項A),?另??經(jīng)過不同的去球/重植球流程(選項B)。
圖7: 去球/重植球后的封裝組裝完整性檢查
?旦Teledyne e2v的質(zhì)量測試開始,將對產(chǎn)品A和產(chǎn)品B分別做聲學(xué)顯微鏡檢查。
• 選項A: 聲學(xué)顯微鏡表明產(chǎn)品在去球/重植球的過程中損壞。缺少了?部分熱較,?些聚合物球分層。
• 選項B: 結(jié)果良好。
結(jié)論:
- Teledyne e2v 會進(jìn)?流程B。
- 由于流程A不滿?Teledyne e2v的產(chǎn)品完整性要求,因此不會被使?。
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