【導(dǎo)讀】意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿(mǎn)足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車(chē)制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車(chē)安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車(chē)AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
1. 前言
EPS和EPB系統(tǒng)均由兩個(gè)主要部件組成：電動(dòng)伺服單元和機(jī)械齒輪單元。電動(dòng)伺服單元將電機(jī)的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)傳給機(jī)械齒輪單元，進(jìn)行扭矩放大，執(zhí)行機(jī)械動(dòng)作。電動(dòng)伺服單元是用功率MOSFET實(shí)現(xiàn)的兩相或三相逆變器，如圖1所示。
圖1. EPS和EPB系統(tǒng)的伺服單元拓?fù)?/div>
圖中負(fù)載是一臺(tái)電機(jī)，通常是永磁無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)，由一個(gè)12V電池進(jìn)行供電。
2. 汽車(chē)對(duì)功率MOSFET的要求
EPS和EPB逆變器所用的40V功率MOSFET，要想符合AEC Q101汽車(chē)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，必須滿(mǎn)足以下所有要求：
1.開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗非常低
2.輸出電流大
3. Ciss/Crss比值小，EMI抗擾性強(qiáng)
4.優(yōu)異的耐雪崩性能
5.出色的過(guò)流和短路保護(hù)
6.熱管理和散熱效率高
7.采用穩(wěn)定的SMD封裝
8.抗負(fù)載突降和ESD能力優(yōu)異
2.1. AEC Q101功率MOSFET的參數(shù)測(cè)量值
我們選擇一些符合EPS和EPB系統(tǒng)要求的競(jìng)品，與意法半導(dǎo)體的40V汽車(chē)功率MOSFET進(jìn)行對(duì)比實(shí)驗(yàn)。表1列出了意法半導(dǎo)體的STL285N4F7AG汽車(chē)40V功率MOSFET和同級(jí)競(jìng)品的主要參數(shù)測(cè)量值。
表1. STL285N4F7AG與競(jìng)品參數(shù)測(cè)量值比較表
由于兩個(gè)安全系統(tǒng)的工作電壓都是在12V-13.5V區(qū)間，功率MOSFET的標(biāo)稱(chēng)電壓是40V，因此，只要確保擊穿電壓(BVdss)接近46V，就能正確地抑制在開(kāi)關(guān)操作過(guò)程中因寄生電感而產(chǎn)生的過(guò)壓。為抑制導(dǎo)通期間的壓差，靜態(tài)導(dǎo)通電阻(RDSon)最好低于1mΩ。只有本征電容和Rg都很小，開(kāi)關(guān)損耗才能降至最低，從而實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)操作。Crss/Ciss比率是一個(gè)非常敏感的參數(shù)，有助于防止米勒效應(yīng)導(dǎo)致的任何異常導(dǎo)通，并可以更好地控制di/dt和dV/dt速率，配合體-漏二極管Qrr反向恢復(fù)電荷和反向恢復(fù)軟度，可顯著降低器件對(duì)EMI的敏感度。
為滿(mǎn)足低耗散功率和電磁干擾的要求，STL285N4F7AG優(yōu)化了電容比值(Crss/Ciss)。圖2是STL285N4F7AG與競(jìng)品的電容比值比較圖。
圖2. STL285N4F7AG與競(jìng)品的Crss/Ciss電容比測(cè)量值比較
此外，圖3所示是意法半導(dǎo)體的STL285N4F7AG的體-漏二極管與競(jìng)品的性能測(cè)量值比較圖。
圖3：STL285N4F7AG與競(jìng)品的體-漏二極管性能測(cè)量值比較
測(cè)量參數(shù)表明，對(duì)于一個(gè)固定的di/dt值，STL285N4F7AG的反向恢復(fù)電荷(Qrr)和恢復(fù)時(shí)間(Trr)都小于競(jìng)品，這個(gè)特性的好處歸納如下：
-低Qrr可降低逆變器在開(kāi)啟時(shí)的動(dòng)態(tài)損耗，并優(yōu)化功率級(jí)的EMI特性;
-更好的Trr可改善二極管恢復(fù)電壓上升速率(dv/dt)的動(dòng)態(tài)峰值。在續(xù)流期間電流流過(guò)體 漏二極管時(shí)，Trr是導(dǎo)致電橋故障的常見(jiàn)主要原因。
因此，dv/dt是保證閂鎖效應(yīng)耐受能力的重要參數(shù)，測(cè)量結(jié)果顯示，意法半導(dǎo)體產(chǎn)品的dv/dt性能(圖4)優(yōu)于競(jìng)品(圖5)。
圖4. STL285N4F7AG的dv/dt t測(cè)量值
圖5. 競(jìng)品的dv/dt測(cè)量值
2.2. 短路實(shí)驗(yàn)性能測(cè)試
我們通過(guò)一個(gè)短路實(shí)驗(yàn)來(lái)測(cè)量、驗(yàn)證意法半導(dǎo)體40V汽車(chē)功率MOSFET在汽車(chē)安全應(yīng)用中的穩(wěn)定性。電子系統(tǒng)可能因各種原因而發(fā)生短路，例如，存在濕氣、缺乏絕緣保護(hù)、電氣部件意外接觸和電壓過(guò)高。因?yàn)槎搪吠ǔＪ且馔庠斐傻?，所以短路很少是永久的，一般持續(xù)幾微秒。在短路期間，整個(gè)系統(tǒng)，特別是功率級(jí)必須承受多個(gè)高電流事件。我們用STL285N4F7AG和測(cè)試板做了一個(gè)短路實(shí)驗(yàn)，測(cè)量結(jié)果如圖6所示：
圖6：測(cè)試板
按照以下步驟完成實(shí)驗(yàn)：
1）用曲線(xiàn)測(cè)量?jī)x預(yù)先測(cè)試主要電氣參數(shù);
2）測(cè)試板加熱至135°C，并施加兩次10μs的短路脈沖，間隔小于1s。限流器保護(hù)功能激活做一次實(shí)驗(yàn)，不激活做一次實(shí)驗(yàn)。
3）對(duì)器件進(jìn)行去焊處理，并再次測(cè)量主要電氣參數(shù)，檢查功率MOSFET的完整性或性能衰減。
測(cè)量結(jié)果如圖7所示。
圖7：STL285N4F7AG短路測(cè)試
在短路事件過(guò)程中測(cè)量到的實(shí)際電流值是在2000A范圍內(nèi)，脈沖持續(xù)時(shí)間為10μs。我們進(jìn)行了十次測(cè)試，Tperiod = 5s。STL285N4F7AG成功地承受住短路沖擊，未發(fā)生任何故障；但當(dāng)電流值大于2400A時(shí)，出現(xiàn)故障（圖8）。
圖8. STL285N4F7AG失效時(shí)的電流測(cè)量值(Id > 2400A)
3. 結(jié)論
實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明，意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的AEC-Q101 40V功率MOSFET可輕松符合汽車(chē)安全系統(tǒng)的嚴(yán)格要求。因此，意法半導(dǎo)體的新溝槽N溝道器件是汽車(chē)EPS和EPB系統(tǒng)的最佳選擇。
4. 參考文獻(xiàn)
[1] F. Frisina " Dispositivi di Potenza a semiconduttore". Edizione DEL FARO Prima Edizione Giugno 2013
[2] B. Jayant Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, Springer Science, 2008
[3] N. Mohan, T. M. Undeland, W. P. Robbins: "Power Electronics Converters, Applications and Design" 2nd edition J. Wiley & Sons NY 1995
[4] B. Murari, F. Berrotti, G.A. Vignola " Smart Power ICs: Technologies and Applications" 2nd Edition
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