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線性穩(wěn)壓器的限流電路

發(fā)布時(shí)間:2011-02-09

中心議題:
  • 線性穩(wěn)壓器的限流電路結(jié)構(gòu)
  • 線性穩(wěn)壓器的電流采樣電路
  • 線性穩(wěn)壓器的性能參數(shù)和結(jié)果

目前伴隨著便攜移動(dòng)設(shè)備的快速發(fā)展,電源芯片得到更廣泛的應(yīng)用,LDO芯片即是一種重要的電源芯片。但在發(fā)生輸出短路或負(fù)載電流過(guò)大的情況,LDO穩(wěn)壓器可能會(huì)損壞,特別是在短路情況下,LDO存在過(guò)大的電流從調(diào)整管通過(guò),進(jìn)而可能燒壞調(diào)整管致使芯片無(wú)法工作。因此需要設(shè)計(jì)一種用于LDO穩(wěn)壓器的限流電路,能在過(guò)載或短路情況下及時(shí)關(guān)閉電源系統(tǒng)。

電路結(jié)構(gòu)

這種限流電路的主要結(jié)構(gòu)包括:電流采樣電路、電流比較電路和基準(zhǔn)源電路。如圖1所示,它將從LDO輸出電路得到的采樣電流,與基準(zhǔn)電流(鏡像于基準(zhǔn)源)作比較。根據(jù)實(shí)際需要,設(shè)定當(dāng)輸出驅(qū)動(dòng)電流大于100mA時(shí),采樣電流大于基準(zhǔn)電流,比較器翻轉(zhuǎn)輸出低電平,經(jīng)反相器整形后得到邏輯0,由此LDO被關(guān)閉,從而實(shí)現(xiàn)限流功能。

1電流采樣電路

如圖1所示,電流采樣電路包括MP5、MP4、MP3、MN2和MN1。因?yàn)镸P5和MP6均工作在飽和區(qū),為了使MP5更好地等比例鏡像LDO的調(diào)整管(PMOS驅(qū)動(dòng)管)MP6的電流,特使用MN1、MN2、MP3和MP4組成自偏置的鏡像陣列,以保證VX=VY,Vds_p5=Vds_p6。所以根據(jù)飽和區(qū)電流公式得到,N1I_p5=N1Is=N1Is1=I_p6。為使M3電流與Is更好的匹配,根據(jù)經(jīng)驗(yàn)值并考慮功耗因素,特意將MN1、MN2和M3的過(guò)飽和電壓提高到0.3V。

圖1電流采樣電路與電流比較電路
  
2電流比較電路
  
電流比較電路由電壓比較器A1,若干電阻和MOS管構(gòu)成。參考圖2可知,電流比較電路的左半部分將電流轉(zhuǎn)化為電壓,而A1比較兩者電壓差給出判斷電壓Vc。


圖2比較器A1電路

因?yàn)镸1,M2和M3均工作在飽和區(qū),有
  Is=N2×Is2=N2×I1=N2×IR1。
  VA=VDD-Vsg1-IR1×R1;
  VB=VDD-Vsg2-IR2×R2
  由此可得:


為了簡(jiǎn)便計(jì)算,設(shè)當(dāng)Vd=0時(shí),公式(1)中前一個(gè)括號(hào)和后一個(gè)括號(hào)分別為零,那么整理后得到

,代入輸出電流Io和基準(zhǔn)電流Ir后得到:


  
當(dāng)Io=100mA時(shí),Vd=0,比較器A1翻轉(zhuǎn),LDO關(guān)閉。設(shè)定N1=200,N2=4,M=4,Ir=10uA,得到M1和M2的寬長(zhǎng)比之比和R1與R2的電阻之比。[page]
  
那么利用PMOS的飽和區(qū)電流公式可得M1與M2的具體尺寸。為使此時(shí)電壓比較器A1性能更佳,設(shè)定VB為VDD的一半,可求出R2阻值,再根據(jù)公式(2)得到的電阻比例,便可得到R1阻值。
  
另外,為使限流電路能應(yīng)用在較復(fù)雜的電源條件下,當(dāng)電荷泵充當(dāng)電源時(shí),該電路設(shè)計(jì)一方面提高A1的PSRR,另一方面如上所述,利用M1、M2管和電阻R1、R2,降低電源VDD的抖動(dòng)對(duì)A1輸入端的影響。
  
在輸出端加入退耦電容Cde,以防止高頻干擾產(chǎn)生誤判斷。
  
為提高PSRR參數(shù),A1選擇跨導(dǎo)放大電路,并且增大PMOS的溝道長(zhǎng)度。同時(shí)為抑制噪聲干擾,在尾電流一定的條件下,增大輸入差分對(duì)的寬長(zhǎng)比。
  
利用Hspice仿真得到比較器A1的幅頻曲線和PSRR,如圖3所示。


圖3比較器A1的幅頻曲線和PSRR曲線

由此可知,這種比較器低頻增益為60db,PSRR約為160db,當(dāng)頻率為1M時(shí)增益大于40db,而PSRR大于80db,所以比較器能夠滿足限流性能要求。
  
3基準(zhǔn)源
  
基準(zhǔn)源電路采用倍乘基準(zhǔn)自偏置電路。圖4中NMOS采用共源共柵結(jié)構(gòu),用以降低電源波動(dòng)對(duì)基準(zhǔn)電流的影響。


圖4基準(zhǔn)源電路。
  
由圖可推得基準(zhǔn)電流:


因?yàn)闇系勒{(diào)制效應(yīng)對(duì)長(zhǎng)溝道器件影響比對(duì)短溝道器件影響小,因而在設(shè)計(jì)基準(zhǔn)源及其相關(guān)電流鏡時(shí),MOS管的溝道長(zhǎng)度為最小尺寸的15倍。同時(shí)利用dummy管和差指MOS管等版圖技術(shù),來(lái)進(jìn)一步保證鏡像過(guò)程中的電流匹配。
  
3性能參數(shù)和結(jié)果
  
將以上設(shè)計(jì)的限流電路嵌入某穩(wěn)壓芯片(內(nèi)含電荷泵電路)中,實(shí)現(xiàn)流片量產(chǎn)(CMOS工藝)。當(dāng)VDD=3V時(shí),通過(guò)測(cè)量量產(chǎn)芯片得到輸出電流極限數(shù)據(jù)。統(tǒng)計(jì)如圖5所示,可知當(dāng)輸出電流處于100~120mA范圍內(nèi)時(shí),限流電路開(kāi)始工作,關(guān)閉系統(tǒng)即保護(hù)LDO安全。由此可見(jiàn),本設(shè)計(jì)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,功能可靠,可廣泛應(yīng)用于電源芯片中。


圖5統(tǒng)計(jì)圖
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