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一種新型實用的IGBT 驅動電路
在分析了IGBT 驅動條件的基礎上介紹了幾種常見的 IGBT 驅動電路，并給出各自的優(yōu)缺點。介紹自行設計的一種簡單、實用的新型IGBT 驅動電路。經實踐表明，該電路經濟、實用、安全、可靠，同時具有IGBT 過電流保護功能，具有很好的應用前景。
2008-11-02
IGBT 驅動 過電流保護
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使用柵極電阻控制IGBT的開關
柵極電阻會影響IGBT的開關時間、開關損耗及各種其他參數，必須根據具體應用的參數非常仔細地選擇和優(yōu)化。一般情況下，減小柵極電阻阻值可降低IGBT的開關損耗，但同時也必須注意快速的導通關斷所帶來的電壓尖峰和電磁干擾。
2008-11-02
柵極電阻 IGBT MOSFET 柵極峰值電流
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如何根據需要恰當選擇電機
深入了解各種電機的特點有助于工程師對所需的應用選擇適當的電機。本文簡單介紹永磁有刷換向直流電機、無刷直流電機與混合式步進電機的工作原理，并從若干方面對這幾種電機的特點進行詳細的分析比較，以助于工程師選擇參考。
2008-11-02
永磁有刷換向直流電機 無刷直流電機 混合式步進電機
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電動助力轉向系統(EPS)電機驅動電路的設計
電動助力轉向系統（EPS）由電動機直接提供轉向助力，只需通過改變控制器軟件的設計，即可方便地調節(jié)汽車系統的助力特性。本文介紹了利用MC9S12系列單片機為微控制器的EPS控制系統電機驅動電路的設計，經試驗該系統性能良好，可基本滿足電動助力系統轉向系統的需要。
2008-11-02
MOSFET EPS MC9S12 NE555
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步進電機H橋驅動電路設計
本文設計的步進電機H橋驅動電路，使加到電機繞組上的電流信號前后沿較陡，降低了開關損耗，改善了電機的高頻特性，同時具有多種保護功能．實驗證明，該驅動電路簡單、可靠并具有優(yōu)良的驅動性能。
2008-11-02
H橋 功率驅動 MOSFET U14 1N4744
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MOSFET及MOSFET驅動電路總結
常用MOSFET管主要有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，兩者在導通的時候都會有導通損耗和開關損失出現，要想辦法降低這兩種損失。在MOS管的驅動問題方面，除了要考慮導通電壓的問題，速度也是一個考察的方面。
2008-11-02
MOSFET NMOS PMOS 導通損耗 開關損失
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IPM驅動和保護電路的研究
智能功率模塊(IPM)是集GTR及MOSFET兩者優(yōu)點于一身的功率開關器件，，內置的驅動和保護電路縮短了系統開發(fā)時間，也提高了故障下的自保護能力。本文簡單介紹了IPM的基本工作特性和常用IPM驅動和保護電路的設計方法，并給出了設計實例。
2008-11-02
IPM IGBT MOSFET PM100DSA120 PIC
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IGBT驅動與保護技術在直流調速系統中的應用
本文將大功率開關器件IGBT應用在功率變換電路及直流調速系統中。闡述了IGBT 驅動器的基本要求，同時介紹了EXB841 芯片內部結構，并分析了系統的工作原理。
2008-11-02
IGBT AT89C51 EXB841 轉速測量
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電子元器件上市公司盈利能力大幅下降
按天相投顧的行業(yè)分類，元器件行業(yè)共有52 家處于正常經營狀態(tài)的上市公司。2008年前三季度，這52家電子元器件行業(yè)上市公司合計實現營業(yè)總收入449.61億元，同比增長4.63%，實現利潤總額31.41億元，同比下降17.11%，實現凈利潤23.91億元，同比下降19.65%。2008年前三季度，元器件上市公司平均盈利能力...
2008-11-01
元器件
- 隔離飛電容多電平變換器的硬件設計
- 艾睿電子助力SAVART Motors擴大其在印尼的電動車制造規(guī)模
- 面向車載應用的 DC/DC 電源
- 村田開發(fā)了村田首款 “HCR/XRCGE_M_F系列”汽車用晶體諧振器
- Vishay 新款150 V MOSFET具備業(yè)界領先的功率損耗性能
- 瑞薩推出第二代面向服務器的DDR5 MRDIMM 完整內存接口芯片組解決方案
- 長光辰芯發(fā)布高速背照式全局快門CMOS圖像傳感器——GSPRINT5514BSI
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- 車規(guī)與基于V2X的車輛協同主動避撞技術展望
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- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
