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MOS非理想性對VLSI電路可靠性的影響
在快速 VLSI 電路中，晶體管每秒開關(guān)數(shù)百萬次。在開關(guān)過程中，被稱為“熱載流子”的高能載流子（電子或空穴）很容易注入并捕獲在柵極氧化物中。這種熱載流子注入會導(dǎo)致柵極氧化物中出現(xiàn)雜質(zhì)，從而改變器件的 I-V 特性。
2023-12-14
MOS VLSI電路
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SiC SBD/超結(jié)MOS在工業(yè)電源上的應(yīng)用
工業(yè)電源是指用于工業(yè)及相關(guān)領(lǐng)域中的電子設(shè)備與設(shè)施的電源系統(tǒng)，其重要性體現(xiàn)在為各類工業(yè)設(shè)備提供穩(wěn)定的電力保障，維護(hù)設(shè)備正常運行，故需具有穩(wěn)定可靠、高效節(jié)能、安全耐用等特點。
2023-12-11
SiC SBD 超結(jié)MOS 工業(yè)電源
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)如何善用AI驅(qū)動自動化創(chuàng)新？
人工智能(AI) 正在改變世界，并在許多方面改善我們的生活。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在AI變革中扮演著關(guān)鍵角色，因為它不只提供AI應(yīng)用所需的強大運算芯片，還使用AI來增強其企業(yè)內(nèi)部的運營與管理、客戶服務(wù)、辦公流程、系統(tǒng)/產(chǎn)品/電路設(shè)計以及制造。在這篇文章中，我們將重點介紹AI如何協(xié)助制造自動化。
2023-12-08
半導(dǎo)體 AI驅(qū)動
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碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用
三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構(gòu)為四個功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負(fù)載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個信號產(chǎn)生源，一個是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個為正弦波發(fā)生器，利用三角波對正弦波進(jìn)行調(diào)制，就會得到...
2023-12-08
碳化硅MOS管 三相逆變器 瑞森半導(dǎo)體
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輕松簡化模擬輸入模塊設(shè)計的系統(tǒng)級ADC
為可編程邏輯控制器(PLC)或分布式控制系統(tǒng)(DCS)模塊等過程控制應(yīng)用設(shè)計模擬輸入模塊時，主要權(quán)衡因素通常是性價比。傳統(tǒng)上，此應(yīng)用領(lǐng)域使用雙極性±15 V 電源軌來提供有源前端組件，用于輸入信號的衰減或增益。這會影響物料清單(BOM)的成本，而創(chuàng)建隔離雙極電源會增加設(shè)計的復(fù)雜性。
2023-12-07
模擬輸入 模塊設(shè)計 系統(tǒng)級 ADC
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解析儲能系統(tǒng)輸出平穩(wěn)與可靠的的神秘DC/DC模塊
儲能系統(tǒng)是電力系統(tǒng)中的關(guān)鍵一環(huán)，為了保證系統(tǒng)穩(wěn)定運行，通過儲能系統(tǒng)的能量管理系統(tǒng)，保障在負(fù)荷迅速波動的情況下仍然能夠運行在一個穩(wěn)定的輸出水平，同時也能避免太陽能、風(fēng)能轉(zhuǎn)化為電能過程時的不穩(wěn)定性波動給電網(wǎng)或者用戶造成沖擊。
2023-11-30
儲能系統(tǒng) DC/DC模塊
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電解電容在SVG產(chǎn)品中應(yīng)用實例及計算實例講解
電解電容是電容的一種，其物理定義就是由兩個導(dǎo)電板，中間放置著具有介電特征的物質(zhì)所組成的分立元件。電解電容分正、負(fù)極性，正極為金屬箔，與正極緊貼金屬的氧化膜是電介質(zhì)，陰極由導(dǎo)電材料、電解質(zhì)和其他材料共同組成，同時電解電容正負(fù)不可接錯。
2023-11-30
電解電容 SVG 應(yīng)用
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推動現(xiàn)代能源系統(tǒng)的控制
減少二氧化碳排放已成為全球目標(biāo)，并帶動了許多新技術(shù)的開發(fā)和研究。需要提高整個動力鏈的效率和新的能源存儲方法。
2023-11-30
能源系統(tǒng) 控制
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振動場合的電源模塊該如何選型？
在不同的應(yīng)用環(huán)境，該如何進(jìn)行電源模塊的應(yīng)用選型？選擇合適電源模塊可以延長模塊的使用壽命，本文主要是介紹在振動場合電源模塊可能出現(xiàn)的一些失效形態(tài)和如何選用可靠的電源模塊。
2023-11-29
振動場合 電源模塊 選型
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